講演者：褚君浩 研究員
中國(guó)科學(xué)院院士
中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所研究員
主題: 現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)發(fā)展催人奮進(jìn)
地點(diǎn): 寶山校區(qū)J樓102
時(shí)間: 5月12日（星期二）18：00
褚君浩院士簡(jiǎn)介：半導(dǎo)體物理和器件專家。1945年3月生于江蘇。1966年畢業(yè)于上海師范學(xué)院物理系，1981年和1984年先后獲中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所碩士、博士學(xué)位。1993到2003年任中科院紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。2005年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士?，F(xiàn)任《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》主編，上海太陽(yáng)能電池研發(fā)中心主任。長(zhǎng)期從事紅外光電子材料和器件的研究，開展了用于紅外探測(cè)器的窄禁帶半導(dǎo)體碲鎘汞（HgCdTe）和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁帶寬度等關(guān)系式，被國(guó)際上稱為CXT公式，廣泛引用并認(rèn)為與實(shí)驗(yàn)結(jié)果最符合；建立了研究窄禁帶半導(dǎo)體MIS器件結(jié)構(gòu)二維電子氣子能帶結(jié)構(gòu)的理論模型；發(fā)現(xiàn)HgCdTe的帶間躍遷、雜質(zhì)躍遷等基本光電躍遷特性，提出HgCdTe本征光吸收系數(shù)表達(dá)式和折射率表達(dá)式，確定了材料器件的光電判別依據(jù)；開展鐵電薄膜材料物理和非制冷紅外探測(cè)器研究，研制成功PZT和BST鐵電薄膜非制冷紅外探測(cè)器并實(shí)現(xiàn)了熱成像。發(fā)表論文316篇，《窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)》中英文專著各一本。獲國(guó)家自然科學(xué)二、三、四等獎(jiǎng)各1項(xiàng)、中國(guó)科學(xué)院自然科學(xué)一等獎(jiǎng)2項(xiàng)、二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、上海市科技進(jìn)步一、二等獎(jiǎng)各1項(xiàng)。是科技部973項(xiàng)目首席專家、國(guó)家科學(xué)基金創(chuàng)新研究群體學(xué)術(shù)帶頭人，現(xiàn)任全國(guó)人大代表。
